製品概要

機能と利点

  • 反射、50 Ω 設計
  • 低挿入損失: 2.7 GHz で 0.6 dB(代表値)
  • TCASE = 105°C で高出力に対応
    • 長寿命(10 年以上)
      • ピーク電力: 43 dBm
      • CW 電力: 38 dBm
      • 平均 LTE 出力(8 dB PAR): 35 dBm
  • シングル・イベント(10 秒以内の動作)
    • 平均 LTE 出力(8 dB PAR): 41 dBm
  • 高直線性
    • P0.1dB: 42.5 dBm(代表値)
    • IP3: 2.0 GHz ~ 4.0 GHz で 65 dBm(代表値)
  • ESD 定格
    • HBM: 2 kV、クラス 2
    • CDM: 1.25 kV
  • 正側(供給)単電源:5 V
  • 正電圧制御、CMOS/TTL 互換
  • 16 ピン 3 mm × 3 mm LFCSP パッケージ

製品概要

ADRF5132 は 0.7 GHz ~ 5.0 GHz の高出力反射シリコン単極 2 投(SPDT)反射スイッチで、リードレスの表面実装パッケージを採用しています。このスイッチは、ロングターム・エボリューション(LTE)ベースのステーションのような高出力のセルラ・インフラストラクチャ・アプリケーションに最適です。ADRF5132 は、35 dBm LTE(105°C での平均代表値)の高出力に対応し、2.7 GHz で 0.6 dB の低挿入損失、65 dBm(代表値)の入力 3 次インターセプト、42.5 dBm の 0.1 dB 圧縮(P0.1dB)を実現します。オンチップ回路は、5 Vの正側(供給)単電源および 1.1 mA(代表値)の代表的な電源電流で動作し、ADRF5132 はピン・ダイオード・ベースのスイッチに代わる最適なソリューションとなります。

デバイスは、RoHS 準拠の 16 ピン小型 3 mm × 3 mm LFCSP パッケージを採用しています。

アプリケーション

  • セルラ/4G インフラストラクチャ
  • ワイヤレス・インフラストラクチャ
  • 防衛および高信頼性アプリケーション
  • 試験装置
  • ピン・ダイオードに代わる製品

製品ライフサイクル icon-recommended 新規設計にお薦めします

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評価キット (1)

ツール

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設計リソース

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ディスカッション

ADRF5132 Discussions

Re: ADRF5132 pin function
3 週間前 RF and Microwave
ADRF5132 pin function
5 週間前 RF and Microwave
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