製品概要

機能と利点

  • ゲイン: 20 dB
  • Psat = +26 dBm で 34% の PAE
  • Pout = +15 dBm で 3.7% の EVM
    (54 Mbps の OFDM 信号)
  • 電源電圧: +3 V
  • パワーダウン機能
  • 少ない外付け部品数

製品概要

HMC415LP3(E) は、高効率 GaAs InGaP ヘテロ接合バイポーラ・トランジスタ(HBT)を使用した MMIC パワー・アンプで、動作範囲は 4.9 GHz ~ 5.9 GHz です。このアンプは、RF 性能と熱性能を改善するために、低価格のエクスポーズド・パッド付きリードレス表面実装パッケージを採用しています。外付け部品が最小限のこのアンプは、+3 V 電源電圧から 20 dB のゲイン、+26 dBm の飽和電力、34% の PAE を提供します。Vpd ピンを使って、フル・パワーダウンや RF 出力の電力/電流制御を行うことができます。+15 dBm の OFDM 出力電力(64 QAM、54 Mbps)に対して、HMC415LP3(E) は 3.7% のエラー・ベクトル振幅(EVM)を実現し、802.11a の直線性要件を満たします。 

アプリケーション

  • 802.11a WLAN
  • HiperLAN WLAN
  • アクセス・ポイント
  • UNII および ISM 無線

製品ライフサイクル icon-recommended 新規設計にお薦めします

発売済みの製品です。データシートには、最終的な仕様と動作条件がすべて記載されています。新規の設計には、これらの製品の使用を推奨します。

評価キット (1)

ツール

S-Parameters

設計リソース

ADI has always placed the highest emphasis on delivering products that meet the maximum levels of quality and reliability. We achieve this by incorporating quality and reliability checks in every scope of product and process design, and in the manufacturing process as well.  "Zero defects" for shipped products is always our goal.

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価格は1個当たりの米ドルで、米国内における販売価格(FOB)で表示されておりますので、予算のためにのみご使用いただけます。 また、その価格は変更 されることがあります。米国以外のお客様への価格は、輸送費、各国の税金、手数料、為替レートにより決定されます。価格・納期等の詳細情報については、弊社正規販売代理店または担当営業にお問い合わせください。なお、 評価用ボードおよび評価用キットの表示価格は1個構成としての価格です。

 

モデル一覧の項目説明

 

 

 

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