製品概要

機能と利点

  • 反射, 50 Ω 設計
  • 低挿入損失:0.7 dB(代表値)〜 2.0 GHz
  • TCASE = 105°C で高出力に対応
    • 長寿命(> 10 年)(平均値)
      • CW 電力:43 dBm
      • ピーク電力:49 dBm
      • 平均 LTE 出力(8 dB PAR):41 dBm
    • シングル・イベント(< 10 秒)(平均値)
      • 平均 LTE 出力(8 dB PAR):44 dBm
  • 高直線性
    • P0.1dB:47 dBm(代表値)
    • IP3:70 dBm(代表値)
  • ESD 定格
    • HBM:4 kV、(クラス 3A)
    • CDM:1.25 kV
  • 正側(供給)単電源:5 V
  • 正電圧制御、CMOS/TTL 互換
  • 32 ピン 5 mm × 5 mm LFCSP パッケージ

製品概要

ADRF5160 は 0.7 GHz ~ 4.0 GHz のシリコンベースの高出力シリコン単極 2 投(SPDT)反射スイッチで、リードレスの表面実装パッケージを採用しています。このスイッチは、ロングターム・エボリューション(LTE)ベースのステーションなどの高出力のセルラ・インフラストラクチャ・アプリケーションに最適です。ADRF5160 は、41 dBm(8 dB PAR LTE、長寿命(>10 年)平均代表値)の高出力に対応し、0.7 dB(代表値)〜 2.0 GHz の低挿入損失、70 dBm(代表値)の入力 3 次インターセプト(IP3)、47 dBm の 0.1 dB 圧縮ポイント(P0.1dB)を実現します。オンチップ回路は、5 Vの正側(供給)単電源および 1.1 mA(代表値)の代表的な電源電流で動作し、ADRF5160 はピン・ダイオード・ベースのスイッチに代わる最適なソリューションとなります。

ADRF5160 は、RoHS 準拠の小型 32 ピン 5 mm × 5 mm LFCSP を採用しています。

アプリケーション

  • ワイヤレス・インフラストラクチャ
  • 防衛および高信頼性アプリケーション
  • 試験装置
  • ピン・ダイオードに代わる製品

製品ライフサイクル icon-recommended 新規設計にお薦めします

発売済みの製品です。データシートには、最終的な仕様と動作条件がすべて記載されています。新規の設計には、これらの製品の使用を推奨します。

評価キット (1)

ツール

S-Parameters

設計リソース

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ディスカッション

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サンプル&購入

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価格は1個当たりの米ドルで、米国内における販売価格(FOB)で表示されておりますので、予算のためにのみご使用いただけます。 また、その価格は変更 されることがあります。米国以外のお客様への価格は、輸送費、各国の税金、手数料、為替レートにより決定されます。価格・納期等の詳細情報については、弊社正規販売代理店または担当営業にお問い合わせください。なお、 評価用ボードおよび評価用キットの表示価格は1個構成としての価格です。

 

モデル一覧の項目説明

 

 

 

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