ADG636

1 PC电荷注入、100 PA泄露、CMOS、±5 V/+5 V/+3 V双通道单刀双掷开关
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产品详情

ADG636是一款单芯片器件,内置两个独立可选的CMOS单刀双掷(SPDT)开关。接通时,各开关在两个方向的导电性能相同。

ADG636采用±2.7 V至±5.5 V双电源或+2.7 V至+5.5 V单电源供电。

此开关在整个信号范围内具有±1.5 pC的超低电荷注入,25°C时的典型漏电流为10 pA。此外,它的典型导通电阻为85 Ω,两个通道间的匹配在2 Ω以内。它还具有低功耗和高开关速度特性。

ADG636为先开后合式开关,采用14引脚TSSOP封装。

产品聚焦
1. 超低电荷注入。QINJ:±1.5 pC(典型值,整个信号范围)
2. 漏电流<0.25 nA(最大值,85ºC)
3. 双电源(±2.7 V至±5 V)或单电源(+2.7 V至+5.5 V)供电
4. 汽车应用温度范围:−40°C至+125°C
5. 小型14引脚TSSOP封装

应用
- 自动测试设备
- 数据采集系统
- 电池供电仪表
- 通信系统
- 采样保持系统
- 远程供电设备
- 音频和视频信号路由
- 继电器替代方案
- 航空电子

产品生命周期

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该产品系列中至少有一个型号已量产并可供采购。该产品适合用于新设计,但也可能有更新的替代产品。

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ADG636 材料声明
PCN-PDN信息 质量和可靠性 原理图符号和PCB封装

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