ADR435

超低噪声、5.0V XFET®基准电压源,具有吸电流和源电流能力
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产品详情

ADR43x是XFET系列基准电压源,具有低噪声、高精度和低温度漂移性能。利用ADI公司的温度漂移曲率校正专利技术和XFET(外加离子注入场效应管)技术,可以使ADR43x电压随温度变化的非线性度降至最小。

与嵌入式齐纳基准电压源相比,XFET基准电压源能以更低的功耗(800 µA)和更小的电源裕量(2 V)工作。嵌入式齐纳基准电压源需要5 V以上的裕量才能工作。ADR43x XFET基准电压源是唯一适合5 V系统的低噪声解决方案。

ADR43x系列的源电流输出最高达30 mA,最大吸电流能力为20 mA。它还具有调整引脚,可以在0.5%范围内调整输出电压,而性能则不受影响。

ADR43x提供8引脚MSOP和窄体SOIC两种封装。所有版本的额定工作范围均为扩展工业温度范围−40°C至+125°C。

ADR435-EP支持军工和航空航天应用(AQEC标准)


应用

  • 精密数据采集系统
  • 高分辨率数据转换器
  • 医疗仪器
  • 工业过程控制系统
  • 光学控制电路
  • 精密仪器

产品生命周期

checked 量产

该产品系列中至少有一个型号已量产并可供采购。该产品适合用于新设计,但也可能有更新的替代产品。

参考电路

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CN0374 电路图

CN0306 电路图

CN0306 实物图

CN0032 电路图

CN0180 电路图

CN0180 实物图

CN0123 电路图

CN0104 电路图

CN0033 电路图

CN0261 电路图

CN0261 实物图

CN0240 电路图

CN0240 实物图

CN0305 电路图

CN0305 实物图

参考资料

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设计资源

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设计资源

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ADR435 材料声明
PCN-PDN信息 质量和可靠性 原理图符号和PCB封装

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