概览

优势和特点

  • 低噪声(0.1 Hz至10.0 Hz):3.5 µV p-p(2.5 V输出)
  • 无需外部电容
  • 低温度系数
    • A级:10 ppm/°C(最大值)
    • B级:3 ppm/°C(最大值)
  • 负载调整率:15 ppm/mA
  • 电压调整率:20 ppm/V
  • 宽工作温度范围:7.0 V至18 V
  • 欲了解更多特性,请参考数据手册

ADR435-EP支持防务和航空航天应用(AQEC标准)

  • 下载 ADR431-EP/ADR434-EP/ADR435-EP数据手册(pdf)
  • 军用温度范围(−55℃至+125℃)
  • 受控制造基线
  • 唯一封装/测试厂
  • 唯一制造厂
  • 增强型产品变更通知
  • 认证数据可应要求提供
  • V62/11602 DSCC图纸号

产品详情

ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435是XFET®系列基准电压源,具有低噪声、高精度和低温度漂移性能。利用ADI公司的温度漂移曲率校正技术和外加离子注入场效应管(XFET)技术,可以使ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435电压随温度变化的非线性度降至最小。

与嵌入式齐纳基准电压源相比,XFET基准电压源能以更低的电流(800 μA)和更小的电源电压裕量(2 V)工作。嵌入式齐纳基准电压源需要5 V以上的裕量才能工作。ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435 XFET基准电压源是唯一适合5 V系统的低噪声解决方案。

ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435系列的源电流输出最高达30 mA,最大吸电流能力为-20 mA。它还具有调整引脚,可以在±0.5%范围内调整输出电压,而性能则不受影响。

ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435提供8引脚MSOP和8引脚窄体SOIC两种封装。所有型号产品的额定温度范围均为−40°C至+125°C扩展工业温度范围。

应用

  • 精密数据采集系统
  • 高分辨率数据转换器
  • 医疗仪器
  • 工业过程控制系统
  • 光学控制电路
  • 精密仪器

产品生命周期 icon-recommended 量产

该产品系列中至少有一个型号已量产并可供采购。该产品适合用于新设计,但也可能有更新的替代产品。

参考电路 (10)

设计资源

ADI始终把满足您最高可靠性水平的产品放在首要位置。我们通过在所有产品、工艺设计和制造过程中引入高质量和可靠性检查实践这一承诺。发运的产品实现“零缺陷”始终是我们的目标。

PCN-PDN信息

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这里所列出的美国报价单仅供预算参考,指美元报价(规定订量的每片美元,美国离岸价),如有修改不再另行通知。由于地区关税、商业税、汇率及手续费原因,国际报价可能不同。对于特殊批量报价,请与您当地的ADI公司办事处或代理商联络。对于评估板和套件的报价是指一个单位价格。


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